Intel在近期舉辦的晶圓代工業(yè)務(wù)研討會(huì)上，公布了其工藝制程的最新藍(lán)圖及代工業(yè)務(wù)的最新進(jìn)展。

自2021年Intel啟動(dòng)“四年五個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)”戰(zhàn)略以來，截至2024年，公司已在全球范圍內(nèi)投入高達(dá)900億美元的資金。其中，技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域的投資約為180億美元，而晶圓廠設(shè)施的建設(shè)與升級(jí)則耗資370億美元。

Intel的18A制程技術(shù)已邁入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)的門檻，預(yù)計(jì)今年將全面實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。而對(duì)于后續(xù)的14A工藝節(jié)點(diǎn)，Intel計(jì)劃在2027年前后啟動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)。與18A采用的PowerVia背面供電技術(shù)相比，14A將引入創(chuàng)新的PowerDirect直接觸點(diǎn)供電方案。

據(jù)悉，14A工藝預(yù)計(jì)將帶來15%至20%的能效提升，同時(shí)芯片的密度也將顯著提升1.3倍。目前，已有部分客戶計(jì)劃開展14A測(cè)試芯片的流片工作。

Intel還詳細(xì)披露了18A工藝的兩個(gè)衍生版本：18A-P和18A-PT。18A-P版本專注于提升性能，并已開始小批量生產(chǎn)，且與18A的設(shè)計(jì)規(guī)則保持完全兼容。而18A-PT則在18A-P的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化性能與能效，并能通過Foveros Direct 3D先進(jìn)封裝技術(shù)與頂部芯片實(shí)現(xiàn)連接，其混合鍵合互連間距可縮小至5微米以下。